二氧化钒薄膜相关论文
相变材料在光电开关、智能玻璃、相变储存和忆阻器等方面有着广泛的应用前景。二氧化钒作为一种典型的相变材料,因其在68℃附近表......
超表面是二维形态的超材料,通过在平面上周期或非周期排列人工设计的亚波长电磁结构,能够灵活控制电磁波的强度、相位、偏振、频率......
作为一种典型的相变材料,二氧化钒可以在光、电、热、压力等激励下发生从单斜相到四方相的相变。二氧化钒的相变伴随着材料光电性......
应用无机溶胶-凝胶法在玻璃基片上制得VO2薄膜样品,并研究了真空热处理温度和掺杂对VO2薄膜光电性能的影响.结果表明:在350,400,45......
VO2膜作为相变温度最接近室温的热致相变材料,相变前透过率高,探测器可正常工作,吸收来袭激光能量相变后透过率低,起到保护探测器......
采用直流磁控溅射法，结合氧化法热处理在硅基底上制备VO2薄膜，通过SEM、XRD、XPS、FTIR红外透射率等测试，从多角度分析了氧化热处理对......
能够根据环境温度的变化而改变太阳红外辐射能量的窗户称之为智能窗或者灵巧窗。利用智能窗可以按照需要调节进入室内的能量，它能根......
该课题主要研究了以VO为基的抗激光致盲工作原理和VO薄膜制备的工艺,以大量的国内外文献作为参考独自摸索出了采用反应离子溅射以......
绝大多数自然物质对太赫兹波缺乏有效响应，已有电子器件和光学器件也很难直接对太赫兹传输进行控制。太赫兹功能材料和器件的缺......
钒二氧化物在正常玻璃底层使用反应收音机频率(RF ) 磁控管劈啪作响上被制作。生长参数系统地被调查的氧流动卷和退火的温度。VO2 ......
利用磁控反应溅射镀膜方法在低温(250℃)条件下制备了主要成分为B相亚稳态二氧化钒(VO2)的薄膜材料。电学性能测试表明:室温下该薄......
钒-氧化物在临界温度(T_c)会表现出独特的绝缘体—金属相变特性,并伴随着电阻和近红外波段透过率的突变行为。二氧化钒(VO_2)的T_c......
VO2因其较低的相变温度(68℃)而广泛被研究者研究,相变发生后,电导率、折射率和磁导率等性质会发生变化,能应用于热电、热光、热磁......
先用磁控溅射法在石英玻璃基片上制备了金属V膜,然后经过真空退火处理被转变为VO2薄膜。研究了退火温度对VO2薄膜表面形貌、晶体结......
单晶二氧化钒在68℃附近会发生可逆的半导体-金属相变,相变发生在飞秒时间内并伴随着光电性能的骤变。这样的特性使得二氧化钒可以......
热致变色材料二氧化钒(VO_2)因其在68℃具有可逆金属-绝缘转变(MIT)而备受关注。本文使用Sol-Gel法以及高真空退火处理工艺成功制......
采用无机溶胶-凝胶法在二氧化硅基底上制备不同厚度的二氧化钒薄膜,通过X射线光电子能谱、X射线衍射和场发射扫描电子显微镜分析薄......
采用溶胶凝胶及后退火工艺制备云母基底的二氧化钒薄膜,采用XRD、SEM、FTIR及色差研究薄膜的性能。FTIR结果表明:在金属-半导体相......
为研究薄膜材料在强电场激励下的相变特性,采用直流磁控溅射工艺在硅衬底表面制备厚度不同的二氧化钒薄膜,搭建基于静电高压源和铜......
介绍了二氧化钒的两种晶胞结构、相变机理,综述了降低其相变温度的各种掺杂元素、掺杂工艺,介绍了各种衬底、退火温度对钒价态和薄......
设计并模拟分析了一种能够在近红外谱段具有动态调控性的等离子激元诱导透明(PIT)平面杂化超材料,此设计将近场耦合效应引入动态超......
本文以二氧化钒陶瓷靶为靶材、采用射频磁控溅射和真空退火处理方法，对二氧化钒薄膜的制备工艺进行了研究。......
ZnSe晶体在红外波段10.6μm附近透射率为70﹪,可作二氧化钒薄膜的基片应用于激光防护领域.VO2薄膜用磁控溅射法制备,针对薄膜与ZnSe......
二氧化钒(VO2)作为一种热致变色材料，在68℃附近可以发生半导体态与金属态之间的可逆相变，它的相变过程伴随光学和电学性质的突变。......
二氧化钒(V02)是一种被广泛研究的具有热致相变特性的热敏材料。当温度升高到68℃附近,发生晶相的转变,相变前后光学,电学性能突变......
二氧化钒（VO2）是一种具有相变特性的功能材料，在大约68℃会发生从低温单斜半导体相向高温金红石四方晶金属相的转变。1959年F.J.Morin......
二氧化钒薄膜是一种新型热敏功能材料,这种材料的显著特点是,伴随温度上升,当温度提高到大约68℃,将从畸变金红石结构转变为四方金......
二氧化钒（VO2）的半导体-金属相变致使其光学性质发生显著变化，电导率也伴随着发生3-5个量级的改变。这一性质使得VO2的研究在光电子器......
摘要：二氧化钒是一种典型的热致相变化合物。随着温度的升高,在68℃时,二氧化钒会由低温半导体态转变为高温金属态(可逆),伴随着这......
二氧化钒(VO2)由于在68℃会发生金属-半导体相变而广为人知,在发生金属相变的过程中,VO2的晶格结构也会发生变化,由低温时的单斜相......
二氧化钒(VO_2)薄膜具有良好相变性能,在开关调制、可调谐滤波、传感器等领域的商业应用前景广阔。在低于相变温度或较低的温度下,......
热致变色二氧化钒在68℃发生金属-半导体相变并伴随着显著的光学和电学性能变化。将二氧化钒的这一特性应用于多层薄膜吸收结构时，......
通过在玻璃表面沉积功能性涂层以实现隔热性能提升及太阳能摄入量调控是建筑节能的重点之一。VO2在相变温度发生半导体-金属态转变......
VO2在68℃左右发生可逆的金属-绝缘体相变(MIT)，从高温四方金红石结构转变为低温单斜结构，并伴随电阻率和光学透过率的巨大变化，这一......
二氧化钒(VO2)作为一种热致相变材料，是目前相变金属化合物中研究的热点材料。当温度变化时，能够发生金属相与半导体相的可逆转变，同......
金红石M相二氧化钒(VO2)在68℃可发生半导体-金属相转变(MIT),随着相变的发生,其光学性质会发生明显的可逆变化,因而具有调节太阳......
太赫兹波(Terahertz,THz)是介于微波和红外波之间的电磁频谱。传统的高频电子器件和光学器件在THz频段不适用,因此对可应用在THz频......
二氧化钒在室温下为半导体材料，具有单斜晶相；而在相变温度Tc=68℃时，转变成具有四方结构的金红石金属相。伴随相变，介电常数产生急剧......
VO2薄膜是一种功能材料，由于其独特的性质，在很多领域内具有潜在的应用价值。近年来VO2研究有了飞速的发展，尤其是VO2薄膜制备技术得......
过渡金属氧化物二氧化钒(VO2)在温度340K附近会发生金属-绝缘体的转变(Metal-Insulator Transition MIT).在发生MIT的同时,材料的......
全息三维显示可以记录和重现空间三维物体，给我们呈现出物体的全部深度信息，因而是国际上裸视三维显示的研究热点。与光学全息相比计......
